供应 场效应管IRFP140N原装进口
| 价 格： | 4.30 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFP140N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 33A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 52 毫欧 @ 16A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 94nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1400pF @ 25V
功率 - 140W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFP140NPBF
深圳市耿城科技有限公司
主营：全世界各品牌IC，二三极，电容电阻，各种电子元件。
苏生：MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240
因IC产品数万种型号，无法一一提供图片以及价格，所以请咨询客服人员、谢谢
具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。
新品陆续上架，敬请期待
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 苏志远
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供应 场效应管IRFP4227原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 65A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 25 毫欧 @ 46A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 98nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 4600pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 管件 深圳市耿城科技有限公司主营：全世界各品牌IC，二三极，电容电阻，各种电子元件。 苏生：MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240 因IC产品数万种型号，无法一一提供图片以及价格，所以请咨询客服人员、谢谢 具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。 新品陆续上架，敬请期待
供应 IC 芯片IRF5210S原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 38A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 38A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 230nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2780pF @ 25V 功率 - 3.1W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件
