供应 IC 芯片IRF5210S原装进口
| 价 格： | 7.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF5210S | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形： | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 38A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 38A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 230nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2780pF @ 25V
功率 - 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 场效应管IRFB3077原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 75V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3.3 毫欧 @ 75A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 220nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 9400pF @ 50V 功率 - 370W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
供应 IC 芯片FQPF5N60C原装进口
信息内容：主电压, Vds 最??????:600V在电阻RDS（上）:2.5ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:33W工作温度范围:-55°C 到 +150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:33W功耗:33W封装类型:TO-220F晶体管数:1漏极电流, Id 值:4.5A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:18A表面安装器件:通孔安装 "
