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供应 IC 芯片FQPF5N60C原装进口

价 格: 1.69
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:FQPF5N60C
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-HBM/半桥组件
封装外形:CHIP/小型片状
材料:MES金属半导体

  • 电压, Vds 最??????:600V
  • 在电阻RDS(上):2.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:33W
  • 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
  • 封装类型:TO-220F
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
  • 功率, Pd:33W
  • 功耗:33W
  • 封装类型:TO-220F
  • 晶体管数:1
  • 漏极电流, Id 值:4.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电压, Vgs :30V
  • 电流, Idm 脉冲:18A
  • 表面安装器件:通孔安装

 

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结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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供应 场效应管IRFP4768原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 93A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 17.5 毫欧 @ 56A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 270nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 10880pF @ 50V 功率 - 520W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 管件 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)

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供应 IC 芯片IRF9530NS TO-263原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 14A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 200 毫欧 @ 8.4A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 58nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 760pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF9530NSPBF

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