| 价 格: | 1.69 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | FQPF5N60C | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | MES金属半导体 |
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类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 93A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 17.5 毫欧 @ 56A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 270nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 10880pF @ 50V 功率 - 520W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 管件 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 14A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 200 毫欧 @ 8.4A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 58nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 760pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF9530NSPBF