| 价 格: | 10.90 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRFP4227 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 65A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 25 毫欧 @ 46A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4600pF @ 25V
功率 - 330W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 管件
深圳市耿城科技有限公司
主营:全世界各品牌IC,二三极,电容电阻,各种电子元件。
苏生:MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240
因IC产品数万种型号,无法一一提供图片以及价格,所以请咨询客服人员、谢谢
具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。
新品陆续上架,敬请期待
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 38A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 38A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 230nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2780pF @ 25V 功率 - 3.1W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 75V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 3.3 毫欧 @ 75A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 220nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 9400pF @ 50V 功率 - 370W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)