IRF7811AVPbF IRF7811 SOP-8 IR公司 原装全新
| 价 格： | 1.80 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRF7811AVTRPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MIN/微型 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GE-P-FET锗P沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） | |
| 跨导： | 1020（μS） | |
| 极间电容： | 20（pF） | |
| 低频噪声系数： | 20（dB） | |
| 漏极电流： | 012（mA） | |
| 耗散功率： | 10（mW） |
| IRF7811AVPbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N通道，金屬氧化物 |
| 邏輯電平閘極 |
| 14 毫歐姆 @ 15A, 4.5V |
| 30V |
| 10.8A |
| 3V @ 250µA |
| 26nC @ 5V |
| 1801pF @ 10V |
| 2.5W |
| 表面黏著式 |
| 8-SOIC （0.154", 3.90mm寬） |
| 編帶和捲軸封裝(TR) |
| 8-SO |
| 1533 (TW2010-11 PDF) |
| IRF7811AVPBFTR IRF7811AVTRPBF-ND IRF7811AVTRPBFTR-ND |
- 所属城市：广东 深圳
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NTD20N06LT4G NTD20P06LT4G 20N06 20P06 MOS管 20A 60V
信息内容：規格書NTD20N06L產品相片TO-252-3產品目錄繪圖MOSFET DPAK Pkg標準包裝2,500類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C48 毫歐姆 @ 10A, 5V漏極至源極的電壓(Vdss)60V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C20AId時的Vgs(th)（值）2V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs32nC @ 5VVds時的輸入電容(Ciss)990pF @ 25V功率 - 1.36W安裝類型表面黏著式封裝/外殼TO-252-3, DPak (2引線+接頭), SC-63供應商設備封裝DPAK-3封裝編帶和捲軸封裝(TR)產品目錄頁面1588 (TW2011-ZH PDF)其他名稱NTD20N06LT4GOSNTD20N06LT4GOS-NDNTD20N06LT4GOSTR
BS107P BS107A BS107ARL1G BS107 场效应管 TO-92 P沟 ON品牌
信息内容：規格書BS107, BS107A產品相片TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead產品目錄繪圖MOSFET TO-92 Pkg標準包裝2,000類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極漏極至源極的電壓(Vdss)200V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C250mA開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C6.4 歐姆 @ 250mA, 10VId時的Vgs(th)（值）3V @ 1mA閘電流(Qg) @ Vgs-Vds時的輸入電容(Ciss)60pF @ 25V功率 - 350mW安裝類型通孔封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)成形引線供應商設備封裝TO-92-3封裝編帶和捲軸封裝(TR)產品目錄頁面1588 (TW2011-ZH PDF)其他名稱BS107ARL1GOSTR"
