NTD20N06LT4G NTD20P06LT4G 20N06 20P06 MOS管 20A 60V
| 价 格： | 1.10 | |
| 品牌： | 0N/安森美 | |
| 型号： | NTD20N06LT4G | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MAP/匹配对管 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 60（V） | |
| 夹断电压： | 60（V） | |
| 跨导： | 10（μS） | |
| 极间电容： | 10（pF） | |
| 低频噪声系数： | 10（dB） | |
| 漏极电流： | 10（mA） | |
| 耗散功率： | 100（mW） |
| NTD20N06L |
| TO-252-3 |
| MOSFET DPAK Pkg |
| 2,500 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| - |
| MOSFET N通道，金屬氧化物 |
| 邏輯電平閘極 |
| 48 毫歐姆 @ 10A, 5V |
| 60V |
| 20A |
| 2V @ 250µA |
| 32nC @ 5V |
| 990pF @ 25V |
| 1.36W |
| 表面黏著式 |
| TO-252-3, DPak (2引線+接頭), SC-63 |
| DPAK-3 |
| 編帶和捲軸封裝(TR) |
| 1588 (TW2011-ZH PDF) |
| NTD20N06LT4GOS NTD20N06LT4GOS-ND NTD20N06LT4GOSTR |
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BS107P BS107A BS107ARL1G BS107 场效应管 TO-92 P沟 ON品牌
信息内容：規格書BS107, BS107A產品相片TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead產品目錄繪圖MOSFET TO-92 Pkg標準包裝2,000類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極漏極至源極的電壓(Vdss)200V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C250mA開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C6.4 歐姆 @ 250mA, 10VId時的Vgs(th)（值）3V @ 1mA閘電流(Qg) @ Vgs-Vds時的輸入電容(Ciss)60pF @ 25V功率 - 350mW安裝類型通孔封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)成形引線供應商設備封裝TO-92-3封裝編帶和捲軸封裝(TR)產品目錄頁面1588 (TW2011-ZH PDF)其他名稱BS107ARL1GOSTR"
IRL540N IRF540N MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB 原装
信息内容：規格書IRL540NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C44 毫歐姆 @ 18A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C36AId時的Vgs(th)（值）2V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs74nC @ 5VVds時的輸入電容(Ciss)1800pF @ 25V功率 - 140W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRL540NPBF
