| 价 格: | 1.30 | |
| 品牌: | Omnirel美国 | |
| 型号: | BS107ARL1G | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | P沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | DUAL/配对管 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-P-FET锗P沟道 | |
| 开启电压: | 200(V) | |
| 夹断电压: | 200(V) | |
| 跨导: | 200(μS) | |
| 极间电容: | 200(pF) | |
| 低频噪声系数: | 200(dB) | |
| 漏极电流: | 250(mA) | |
| 耗散功率: | 330(mW) |
| BS107, BS107A |
| TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead |
| MOSFET TO-92 Pkg |
| 2,000 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| - |
| MOSFET N通道,金屬氧化物 |
| 邏輯電平閘極 |
| 200V |
| 250mA |
| 6.4 歐姆 @ 250mA, 10V |
| 3V @ 1mA |
| - |
| 60pF @ 25V |
| 350mW |
| 通孔 |
| TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)成形引線 |
| TO-92-3 |
| 編帶和捲軸封裝(TR) |
| 1588 (TW2011-ZH PDF) |
| BS107ARL1GOSTR |
規格書IRL540NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C44 毫歐姆 @ 18A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C36AId時的Vgs(th)(值)2V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs74nC @ 5VVds時的輸入電容(Ciss)1800pF @ 25V功率 - 140W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRL540NPBF
規格書IR2104(S)(PbF)產品相片8-SOIC標準包裝95類別積體電路(IC)家庭PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關系列-配置半橋輸入類型非反相延遲時間680ns峰值電流210mA配置數1輸出數2高端電壓 - 值(自啟動型)600V電源電壓10 V ~ 20 V操作溫度-40°C ~ 125°C安裝類型表面黏著式封裝/外殼8-SOIC (0.154", 3.90mm寬)供應商設備封裝8-SOICN封裝管裝其他名稱*IR2104S"