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BS107P BS107A BS107ARL1G BS107 场效应管 TO-92 P沟 ON品牌

价 格: 1.30
品牌:Omnirel美国
型号:BS107ARL1G
种类:结型(JFET)
沟道类型:P沟道
导电方式:增强型
用途:DUAL/配对管
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-P-FET锗P沟道
开启电压:200(V)
夹断电压:200(V)
跨导:200(μS)
极间电容:200(pF)
低频噪声系数:200(dB)
漏极电流:250(mA)
耗散功率:330(mW)

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱
BS107, BS107A
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
MOSFET TO-92 Pkg
2,000
離散半導體產品
FET - 單路
-
MOSFET N通道,金屬氧化物
邏輯電平閘極
200V
250mA
6.4 歐姆 @ 250mA, 10V
3V @ 1mA
-
60pF @ 25V
350mW
通孔
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)成形引線
TO-92-3
編帶和捲軸封裝(TR)
1588 (TW2011-ZH PDF)
BS107ARL1GOSTR
"

结型场效应管 深圳市长亮源科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 古泳
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信息内容:

規格書IRL540NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C44 毫歐姆 @ 18A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C36AId時的Vgs(th)(值)2V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs74nC @ 5VVds時的輸入電容(Ciss)1800pF @ 25V功率 - 140W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRL540NPBF

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IR2104STRPBF IR2104S 全新原装 IR公司 SOP-8

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規格書IR2104(S)(PbF)產品相片8-SOIC標準包裝95類別積體電路(IC)家庭PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關系列-配置半橋輸入類型非反相延遲時間680ns峰值電流210mA配置數1輸出數2高端電壓 - 值(自啟動型)600V電源電壓10 V ~ 20 V操作溫度-40°C ~ 125°C安裝類型表面黏著式封裝/外殼8-SOIC (0.154", 3.90mm寬)供應商設備封裝8-SOICN封裝管裝其他名稱*IR2104S"

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