| 价 格: | 1.53 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRFR9024NTRPBF | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | FM/调频 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料: | GaAS-FET砷化镓 |
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 36 毫欧 @ 23A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1900pF @ 25V 功率 - 160W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP150NPBF 深圳市耿城科技有限公司主营:全世界各品牌IC,二三极,电容电阻,各种电子元件。 苏生:MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240 因IC产品数万种型号,无法一一提供图片以及价格,所以请咨询客服人员、谢谢 具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。 新品陆续上架,敬请期待
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 40V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 202A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4 毫欧 @ 121A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 196nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 5669pF @ 25V 功率 - 333W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF1404PBF