供应 场效应管IRFP150N原装进口
| 价 格： | 5.60 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFP150N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 36 毫欧 @ 23A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1900pF @ 25V
功率 - 160W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFP150NPBF
深圳市耿城科技有限公司
主营：全世界各品牌IC，二三极，电容电阻，各种电子元件。
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- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 苏志远
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供应 IC 芯片IRF1404原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 40V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 202A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4 毫欧 @ 121A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 196nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 5669pF @ 25V 功率 - 333W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF1404PBF
供应 IC 芯片IRF5305S原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 16A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF5305S 限制有害物质指令(RoHS)达标替代产品•IRF5305SPBF-ND
