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供应 IC 芯片IRF1404原装进口

价 格: 3.80
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF1404
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:A/宽频带放大
封装外形:CHIP/小型片状
材料:GaAS-FET砷化镓

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏极至源极电压(Vdss) 40V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 202A
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4 毫欧 @ 121A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 196nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 5669pF @ 25V
 
功率 - 333W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRF1404PBF

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 16A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF5305S 限制有害物质指令(RoHS)达标替代产品•IRF5305SPBF-ND

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信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 28A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 234nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 4057pF @ 25V 功率 - 300W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP260NPBF 深圳市耿城科技有限公司主营:全世界各品牌IC,二三极,电容电阻,各种电子元件。 苏生:MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240 因IC产品数万种型号,无法一一提供图片以及价格,所以请咨询客服人员、谢谢 具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。 新品陆续上架,敬请期待"

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