| 价 格: | 24.00 | |
| 品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号: | SGL160N60UFDTU | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | P沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | DC/直流 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 600(V) | |
| 夹断电压: | 600(V) | |
| 跨导: | 1(μS) | |
| 极间电容: | 1(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 160(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
仙童 飞兆 Fairchild代理
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
|
网上报价仅供参考,订货前请电话确认!
"IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/8629/18862965.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):3 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压:500 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:2.4 A功率耗散:2500 mW 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DPAK封装:Reel 最小工作温度:- 55 C
IR 原装飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。产品种类:整流器 RoHS:dzsc/18/8636/18863665.jpg 详细信息产品:Fast Recovery Rectifier 配置:Single反向电压:600 V 正向电压下降:2.6 V恢复时间:35 ns 正向连续电流:30 A浪涌电流:300 A 反向电流 IR:50 uA安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247封装:Tube