| 价 格: | 面议 | |
| 品牌: | IR 国际整流半导体 | |
| 型号: | 30EPH06PBF | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | NF/音频(低频) | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压: | 1(V) | |
| 夹断电压: | 1(V) | |
| 低频跨导: | 1(μS) | |
| 极间电容: | 1(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 1(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
IR 原装
飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | 整流器 |
| RoHS: | dzsc/18/8636/18863665.jpg 详细信息 |
| 产品: | Fast Recovery Rectifier |
| 配置: | Single |
| 反向电压: | 600 V |
| 正向电压下降: | 2.6 V |
| 恢复时间: | 35 ns |
| 正向连续电流: | 30 A |
| 浪涌电流: | 300 A |
| 反向电流 IR: | 50 uA |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-247 |
| 封装: | Tube |
IR 原装飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。产品种类:肖特基(二极管与整流器) RoHS:dzsc/18/8639/18863938.jpg 详细信息产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:60 V正向连续电流:40 A 浪涌电流:1020 A配置:Dual Common Cathode 正向电压下降:0.72 V @ 20 A反向漏泄电流:1000 uA 工作温度范围:- 55 C to + 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AC封装:Tube
IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。产品种类:MOSFET 小信号 RoHS:dzsc/18/8644/18864463.jpg 详细信息配置:Single Dual Drain 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.54 Ohm @ 5 V 汲极/源极击穿电压:100 V闸/源击穿电压:+/- 10 V 漏极连续电流:1 A功率耗散:1300 mW 工作温度:+ 175 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:HexDIP封装:Tube 最小工作温度:- 55 C