特价热销IRFR420TRRPBF MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRFR420TRRPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SIT静电感应 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: | dzsc/18/8629/18862965.jpg 详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）: | 3 Ohm @ 10 V |
| 汲极/源极击穿电压: | 500 V |
| 闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
| 漏极连续电流: | 2.4 A |
| 功率耗散: | 2500 mW |
| 工作温度: | + 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | DPAK |
| 封装: | Reel |
| 最小工作温度: | - 55 C |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨宝林
- 电话：
- 传真：
- 手机：13902969450
- QQ ：
特价热销30EPH06PBF MOS 场效应管
信息内容：IR 原装飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。产品种类:整流器 RoHS:dzsc/18/8636/18863665.jpg 详细信息产品:Fast Recovery Rectifier 配置:Single反向电压:600 V 正向电压下降:2.6 V恢复时间:35 ns 正向连续电流:30 A浪涌电流:300 A 反向电流 IR:50 uA安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247封装:Tube
特价热销MBR4060WTPBF MOS 场效应管
信息内容：IR 原装飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。产品种类:肖特基（二极管与整流器） RoHS:dzsc/18/8639/18863938.jpg 详细信息产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:60 V正向连续电流:40 A 浪涌电流:1020 A配置:Dual Common Cathode 正向电压下降:0.72 V @ 20 A反向漏泄电流:1000 uA 工作温度范围:- 55 C to + 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AC封装:Tube
