价 格: | 1.90 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFR9120N | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 |
场效应管 MOSFET P D-PAK -100V -6.5A
场效应管 MOSFET N 30V D-PAK晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:86A电压, Vds :30V在电阻RDS(上):6.5mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V功耗, Pd:79mW封装类型:D-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功耗:79mW器件标号:3709封装类型:DPAK漏极电流, Id 值:86A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:30V电压, Vgs :1.8V电流, Idm 脉冲:340A表面安装器件:表面安装"
电流, Id 连续:11A电压, Vds :55V在电阻RDS(上):175mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:38W封装类型:D-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)SMD标号:IRFR9024N功率, Pd:38W功耗:38W封装类型:DPAK封装类型, 替代:D-PAK漏极电流, Id 值:-11A热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds 典型值:55V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:44A表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th :-4V"