特价热销IRKD56/12 MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRKD56/12 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
IR MOS 场效应管
飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | 整流器 |
| RoHS: | dzsc/18/8628/18862808.jpg 详细信息 |
| 产品: | Standard Recovery Rectifier |
| 配置: | Dual Series |
| 反向电压: | 1200 V |
| 正向电压下降: | 1.51 V |
| 正向连续电流: | 60 A |
| 浪涌电流: | 1680 A |
| 反向电流 IR: | 10000 uA |
| 安装风格: | Screw |
| 封装 / 箱体: | ADD-A-PAK |
| 封装: | Bulk |
| 工作温度: | + 150 C |
| 最小工作温度: | - 40 C |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 杨宝林
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热销飞兆IGBT单管SGL160N60UFDTU
信息内容：仙童 飞兆 Fairchild代理Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:IGBT Transistors RoHS:dzsc/18/8629/18862955.jpg Details Package / Case:TO-264 Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V Collector-Emitter Saturation Voltage:2.1 V Maximum Gate Emitter Voltage:20 V Continuous Collector Current Ic Max:160 A Gate-Emitter Leakage Current:+/- 100 nA Power Dissipation:250 W Packaging:Tube Configuration:Single 网上报价仅供参考，订货前请电话确认！"
特价热销IRFR420TRRPBF MOS 场效应管
信息内容：IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/8629/18862965.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:3 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压:500 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:2.4 A功率耗散:2500 mW 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DPAK封装:Reel 最小工作温度:- 55 C
