价 格: | 2.30 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFB3607PBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-P-FET锗P沟道 |
IRFB3607
场效应管 MOSFET N沟道 TO-220AB
深圳市耿城科技有限公司
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"类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 23A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 117 毫欧 @ 13A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 97nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V 功率 - 140W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP9140NPBF"
晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:15A电压, Vds :100V在电阻RDS(上):110mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:63W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:63W功耗:63W器件标记:IRF530N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:17A热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:60A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a