供应 IC 芯片IRF530N原装进口
| 价 格： | 1.40 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF530N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:15A
- 电压, Vds :100V
- 在电阻RDS（上）:110mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 功耗, Pd:63W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
- 功率, Pd:63W
- 功耗:63W
- 器件标记:IRF530N
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极电流, Id 值:17A
- 热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电压, Vgs :4V
- 电流, Idm 脉冲:60A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- 针脚配置:a
结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 苏志远
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供应 IC 芯片IRFP4668PBF原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 130A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 9.7 毫欧 @ 81A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 241nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 10720pF @ 50V 功率 - 520W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 管件 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)
供应 场效应管IRFZ48N原装进口
信息内容：数据列表 IRFZ48NPbF 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 64A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 32A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 81nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1970pF @ 25V 功率 - 130W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFZ48NPBF
