供应 场效应管IRFZ48N原装进口
| 价 格： | 2.20 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFZ48N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | CHOP/斩波、限幅 | |
| 封装外形： | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 |
数据列表 IRFZ48NPbF
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 64A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 32A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 81nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1970pF @ 25V
功率 - 130W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFZ48NPBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 场效应管IRFR9120N原装进口
信息内容：场效应管 MOSFET P D-PAK -100V -6.5A晶体管极性:P通道电流, Id 连续:6.6A电压, Vds :100V在电阻RDS（上）:480mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:40W封装类型:D-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)SMD标号:IRFR9120N功率, Pd:40W功耗:40W封装类型:DPAK封装类型, 替代:D-PAK漏极电流, Id 值:-6.6A热阻, 结至外壳 A:3.2°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:26A表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th :-4V"
供应 IC 芯片IRFR3709Z原装进口
信息内容：场效应管 MOSFET N 30V D-PAK晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:86A电压, Vds :30V在电阻RDS（上）:6.5mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V功耗, Pd:79mW封装类型:D-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功耗:79mW器件标号:3709封装类型:DPAK漏极电流, Id 值:86A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:30V电压, Vgs :1.8V电流, Idm 脉冲:340A表面安装器件:表面安装"
