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供应 场效应管IRFP9140N原装进口

价 格: 9.20
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFP9140N
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-HBM/半桥组件
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:HEMT高电子迁移率

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏极至源极电压(Vdss) 100V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 23A
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 117 毫欧 @ 13A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 97nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
 
功率 - 140W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 TO-247AC
 
包装 散装
 
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRFP9140NPBF

"

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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信息内容:

晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:15A电压, Vds :100V在电阻RDS(上):110mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:63W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:63W功耗:63W器件标记:IRF530N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:17A热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:60A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a

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