| 价 格: | 2.50 | |
| 品牌/商标: | Zetex/捷特科 | |
| 型号/规格: | ZXMP6A17GTA | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | P沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | A/宽频带放大 | |
| 开启电压: | 30(V) | |
| 夹断电压: | 30(V) | |
| 跨导: | 10(μS) | |
| 极间电容: | 10(pF) | |
| 低频噪声系数: | 10(dB) | |
| 漏极电流: | 6000(mA) | |
| 耗散功率: | 10(mW) |
| ZXMP6A17G |
| SOT-223-4 Pkg |
| SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 1,000 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| - |
| MOSFET P通道,金屬氧化物 |
| 邏輯電平閘極 |
| 125 毫歐姆 @ 2.2A, 10V |
| 60V |
| 3A |
| 1V @ 250µA |
| 17.7nC @ 10V |
| 637pF @ 30V |
| 2W |
| 表面黏著式 |
| TO-261-4, TO-261AA |
| SOT-223 |
| 編帶和捲軸封裝(TR) |
| 1487 (TW2010-11 PDF) |
| ZXMP6A17GTR |
規格書IRF7811AVPbF產品相片8-SOIC產品目錄繪圖IR Hexfet 8-SOIC標準包裝4,000類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C14 毫歐姆 @ 15A, 4.5V漏極至源極的電壓(Vdss)30V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C10.8AId時的Vgs(th)(值)3V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs26nC @ 5VVds時的輸入電容(Ciss)1801pF @ 10V功率 - 2.5W安裝類型表面黏著式封裝/外殼8-SOIC (0.154", 3.90mm寬)封裝編帶和捲軸封裝(TR)供應商設備封裝8-SO產品目錄頁面1533 (TW2010-11 PDF)其他名稱IRF7811AVPBFTRIRF7811AVTRPBF-NDIRF7811AVTRPBFTR-ND
規格書NTD20N06L產品相片TO-252-3產品目錄繪圖MOSFET DPAK Pkg標準包裝2,500類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C48 毫歐姆 @ 10A, 5V漏極至源極的電壓(Vdss)60V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C20AId時的Vgs(th)(值)2V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs32nC @ 5VVds時的輸入電容(Ciss)990pF @ 25V功率 - 1.36W安裝類型表面黏著式封裝/外殼TO-252-3, DPak (2引線+接頭), SC-63供應商設備封裝DPAK-3封裝編帶和捲軸封裝(TR)產品目錄頁面1588 (TW2011-ZH PDF)其他名稱NTD20N06LT4GOSNTD20N06LT4GOS-NDNTD20N06LT4GOSTR