供应 IC 芯片IRLML6302TR原装进口
| 价 格： | 0.46 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRLML6302TR | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 780mA
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 610mA, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（） 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 97pF @ 15V
功率 - 540mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 Micro3™/SOT-23
包装 带卷 (TR)
其它名称 IRLML6302GTRPBF-ND
IRLML6302GTRPBFTR
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 场效应管IRFB3607PBF原装进口
信息内容：IRFB3607 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220AB晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:80A电压, Vds :75V在电阻RDS（上）:7.34mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:140W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功耗:140W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:80A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:310A表面安装器件:通孔安装 深圳市耿城科技有限公司主营：全世界各品牌IC，二三极，电容电阻，各种电子元件。 苏生：MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240 因IC产品数万种型号，无法一一提供图片以及价格，所以请咨询客服人员、谢谢 具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。 新品陆续上架，敬请期待"
供应 场效应管IRFP9140N原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 23A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 117 毫欧 @ 13A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 97nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V 功率 - 140W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP9140NPBF"
