供应 场效应管IRFB4310PBF原装进口
| 价 格： | 5.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFB4310PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 |
原装进口,特价现货,大量价格从优
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 6 毫欧 @ 75A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6860pF @ 50V
功率 - 250W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
深圳市耿城科技有限公司
主营：全世界各品牌IC，二三极，电容电阻，各种电子元件。
苏生：MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 IC 芯片IRLML6302TR原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 780mA 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 610mA, 4.5V Id 时的 Vgs(th)（） 1.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 97pF @ 15V 功率 - 540mW 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 Micro3™/SOT-23 包装 带卷 (TR) 其它名称 IRLML6302GTRPBF-NDIRLML6302GTRPBFTR
供应 场效应管IRFB3607PBF原装进口
信息内容：IRFB3607 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220AB晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:80A电压, Vds :75V在电阻RDS（上）:7.34mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:140W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功耗:140W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:80A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:310A表面安装器件:通孔安装 深圳市耿城科技有限公司主营：全世界各品牌IC，二三极，电容电阻，各种电子元件。 苏生：MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240 因IC产品数万种型号，无法一一提供图片以及价格，所以请咨询客服人员、谢谢 具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。 新品陆续上架，敬请期待"
