价 格: | 4.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFB42N20DPBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 44A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 55 毫欧 @ 26A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3430pF @ 25V
功率 - 2.4W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRFB42N20DPBF
类别 集成电路 (IC)家庭 PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关系列 -配置 高端和低端,独立 输入类型 非反相 延迟时间 120ns 电流 - 峰 2.5A 配置数 1 输出数 2 高端电压 - (自引导启动) 500V 电源电压 10 V ~ 20 V 工作温度 -40°C ~ 125°C 安装类型 通孔 封装/外壳 14-DIP(0.300", 7.62mm) 供应商设备封装 14-DIP 包装 管件 产品目录页面 1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IR2110PBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 550 毫欧 @ 6A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1400pF @ 25V 功率 - 3.1W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF740SPBF