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供应 场效应管IRFB42N20DPBF原装进口

价 格: 4.80
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFB42N20DPBF
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-INM/独立组件
封装外形:CHIP/小型片状
材料:GE-N-FET锗N沟道

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏极至源极电压(Vdss) 200V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 44A
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 55 毫欧 @ 26A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)() 5.5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 140nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 3430pF @ 25V
 
功率 - 2.4W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
其它名称 *IRFB42N20DPBF

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结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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信息内容:

类别 集成电路 (IC)家庭 PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关系列 -配置 高端和低端,独立 输入类型 非反相 延迟时间 120ns 电流 - 峰 2.5A 配置数 1 输出数 2 高端电压 - (自引导启动) 500V 电源电压 10 V ~ 20 V 工作温度 -40°C ~ 125°C 安装类型 通孔 封装/外壳 14-DIP(0.300", 7.62mm) 供应商设备封装 14-DIP 包装 管件 产品目录页面 1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IR2110PBF

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供应 IC 芯片IRF740S TO-263原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 550 毫欧 @ 6A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1400pF @ 25V 功率 - 3.1W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF740SPBF

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