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供应 IC 芯片IRF740S TO-263原装进口

价 格: 3.69
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF740S TO-263
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:ALGaAS铝镓砷

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏极至源极电压(Vdss) 400V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10A
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 550 毫欧 @ 6A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 1400pF @ 25V
 
功率 - 3.1W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
 
供应商设备封装 D2PAK
 
包装 管件
 
其它名称 *IRF740SPBF

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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供应 IC 芯片IRF2807原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 75V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 82A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 13 毫欧 @ 43A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 160nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3820pF @ 25V 功率 - 230W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF2807PBF

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供应 场效应管IRFB4310PBF原装进口

信息内容:

原装进口,特价现货,大量价格从优类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 6 毫欧 @ 75A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 150µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 6860pF @ 50V 功率 - 250W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 深圳市耿城科技有限公司主营:全世界各品牌IC,二三极,电容电阻,各种电子元件。 苏生:MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240 因IC产品数万种型号,无法一一提供图片以及价格,所以请咨询客服人员、谢谢 具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。 新品陆续上架,敬请期待

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