供应 IC 芯片IR2110PBF原装进口
| 价 格： | 6.50 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IR2110PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
类别 集成电路 (IC)
家庭 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列 -
配置 高端和低端，独立
输入类型 非反相
延迟时间 120ns
电流 - 峰 2.5A
配置数 1
输出数 2
高端电压 - （自引导启动） 500V
电源电压 10 V ~ 20 V
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 通孔
封装/外壳 14-DIP（0.300", 7.62mm）
供应商设备封装 14-DIP
包装 管件
产品目录页面 1380 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IR2110PBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应 IC 芯片IRF740S TO-263原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 550 毫欧 @ 6A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1400pF @ 25V 功率 - 3.1W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF740SPBF
供应 IC 芯片IRF2807原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 75V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 82A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 13 毫欧 @ 43A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 160nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3820pF @ 25V 功率 - 230W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF2807PBF
