IR进口原装 优势供应商 FB4115 IRFB4115PBF
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | FB4115 IRFB4115PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SB肖特基势垒栅 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
IR进口原装 优势供应商 FB4115 IRFB4115PBF
IR进口原装 优势供应商 FB4115 IRFB4115PBF
FB4115 IRFB4115PBF产品规格 参数
数据列表 IRFB4115PbF
产品相片 TO-220AB PKG
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 104A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 11 毫欧 @ 62A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 5270pF @ 50V
功率 - 380W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
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IR全新原装进口场效应管 IRF830B IRF830PBF IRF830
信息内容：dzsc/18/8609/18860931.jpgVISHAY全新原装场效应管 IRF830PBF IRF830VISHAY全新原装场效应管 IRF830PBF IRF830造商: Vishay 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.5 Ohms 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏极连续电流: 4.5 A 功率耗散: 74 W 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 1000 "
IXYS全新原装场效应二三极管 IXTH30N50P
信息内容：IXYS全新原装场效应二三极管 IXTH30N50P IXYS全新原装场效应二三极管 IXTH30N50P IXTH30N50P产品规格 参数 Datasheets IXT(H,Q,T,V)30N50P(S)Product Photos IXTH30N50PCatalog Drawings TO-247AD 3-LeadsStandard Package 30Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries PolarHV™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 500VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 30ARds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 500mA, 10VVgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 4150pF @ 25VPower - Max 460WMounting Type Through HolePackage / Case TO-247-3Supplier Device Package TO-247ADPackaging TubeCatalog Page 1406 (US2011 Interactive)1406 (US2011 PDF)"
