IXYS全新原装场效应二三极管 IXTH30N50P
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IXY美国电报半导体 | |
| 型号： | IXTH30N50P | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SB肖特基势垒栅 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
IXYS全新原装场效应二三极管 IXTH30N50P
IXYS全新原装场效应二三极管 IXTH30N50P
IXTH30N50P产品规格 参数
Datasheets IXT(H,Q,T,V)30N50P(S)
Product Photos IXTH30N50P
Catalog Drawings TO-247AD 3-Leads
Standard Package 30
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series PolarHV™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4150pF @ 25V
Power - Max 460W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247AD
Packaging Tube
Catalog Page 1406 (US2011 Interactive)
1406 (US2011 PDF)
- 所属城市：广东 深圳
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专营仙童快恢复二极管 全新原装 RHRP15120现货
信息内容：专营仙童快恢复二极管 全新原装 RHRP15120 专营仙童快恢复二极管 全新原装 RHRP15120 RHRP15120产品规格 参数 数据列表 RHRP15120 产品相片 TO-220-2 产品目录绘图 TO-220F Pin OutPower Diode Circuit 标准包装 400类别 分离式半导体产品家庭 单二极管/整流器系列 -二极管型 标准 电压 - (Vr)（） 1200V (1.2kV) 电流 - 平均整流 (Io) 15A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（） 3.2V @ 15A 速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io) 反向恢复时间(trr) 75ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电 100µA @ 1200V 电容@ Vr, F - 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-2 供应商设备封装 TO-220AC 包装 管件 产品目录页面 1614 (CN2011-ZH PDF) 800/盒，50/管"
仙童IGBT进口原装场效应管 FGH40N60UFD GH40N60UFD
信息内容：仙童IGBT进口原装场效应管 FGH40N60UFD GH40N60UFD 仙童IGBT进口原装场效应管 FGH40N60UFD GH40N60UFD FGH40N60UFD GH40N60UFD产品规格 参数 数据列表 FGH40N60UFD 产品相片 FGH40N60UFTUFGH40N60SMDF 产品目录绘图 IGBT TO-247 Package 标准包装 150类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 场截止 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 2.4V @ 15V, 40A 电流 - 集电极 (Ic)（） 80A 功率 - 290W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247 包装 管件 产品目录页面 1610 (CN2011-ZH PDF) 300/盒，30/管
