价 格: | 面议 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FGH40N60UFD GH40N60UFD | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 22(V) | |
夹断电压: | 22(V) | |
跨导: | 22(μS) | |
极间电容: | 22(pF) | |
低频噪声系数: | 22(dB) | |
漏极电流: | 22(mA) | |
耗散功率: | 22(mW) |
仙童IGBT进口原装场效应管 FGH40N60UFD GH40N60UFD
仙童IGBT进口原装场效应管 FGH40N60UFD GH40N60UFD
FGH40N60UFD GH40N60UFD产品规格 参数
数据列表 FGH40N60UFD
产品相片 FGH40N60UFTU
FGH40N60SMDF
产品目录绘图 IGBT TO-247 Package
标准包装 150
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 场截止
电压 - 集电极发射极击穿() 600V
Vge, Ic时的Vce(开) 2.4V @ 15V, 40A
电流 - 集电极 (Ic)() 80A
功率 - 290W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247
包装 管件
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300/盒,30/管
IR全新原装 进口芯片场效应管集成块IC GP4063D IRGP4063DPBF IR全新原装 进口芯片场效应管集成块IC GP4063D IRGP4063DPBF GP4063D IRGP4063DPBF产品规格 参数 数据列表 IRGP4063DPbF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC 标准包装 25类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 沟道 电压 - 集电极发射极击穿() 600V Vge, Ic时的Vce(开) 2.14V @ 15V, 48A 电流 - 集电极 (Ic)() 96A 功率 - 330W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1517 (CN2011-ZH PDF) "
MEXICO墨西哥进口原装场效应集成IC G4PC50W IRG4PC50WPBF MEXICO墨西哥进口原装场效应集成IC G4PC50W IRG4PC50WPBF G4PC50W IRG4PC50WPBF产品规格 参数 数据列表 IRGP35B60PDPbF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC 标准包装 25类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 NPT 电压 - 集电极发射极击穿() 600V Vge, Ic时的Vce(开) 2.55V @ 15V, 35A 电流 - 集电极 (Ic)() 60A 功率 - 308W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1517 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRGP35B60PDPBF "