IR全新原装进口场效应管 IRF830B IRF830PBF IRF830
| 价 格： | 0.80 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | IRF830B IRF830PBF IRF830 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
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VISHAY全新原装场效应管 IRF830PBF IRF830
VISHAY全新原装场效应管 IRF830PBF IRF830
造商: Vishay
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.5 Ohms
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 4.5 A
功率耗散: 74 W
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 1000
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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IXYS全新原装场效应二三极管 IXTH30N50P
信息内容：IXYS全新原装场效应二三极管 IXTH30N50P IXYS全新原装场效应二三极管 IXTH30N50P IXTH30N50P产品规格 参数 Datasheets IXT(H,Q,T,V)30N50P(S)Product Photos IXTH30N50PCatalog Drawings TO-247AD 3-LeadsStandard Package 30Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries PolarHV™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 500VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 30ARds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 500mA, 10VVgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 4150pF @ 25VPower - Max 460WMounting Type Through HolePackage / Case TO-247-3Supplier Device Package TO-247ADPackaging TubeCatalog Page 1406 (US2011 Interactive)1406 (US2011 PDF)"
专营仙童快恢复二极管 全新原装 RHRP15120现货
信息内容：专营仙童快恢复二极管 全新原装 RHRP15120 专营仙童快恢复二极管 全新原装 RHRP15120 RHRP15120产品规格 参数 数据列表 RHRP15120 产品相片 TO-220-2 产品目录绘图 TO-220F Pin OutPower Diode Circuit 标准包装 400类别 分离式半导体产品家庭 单二极管/整流器系列 -二极管型 标准 电压 - (Vr)（） 1200V (1.2kV) 电流 - 平均整流 (Io) 15A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（） 3.2V @ 15A 速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io) 反向恢复时间(trr) 75ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电 100µA @ 1200V 电容@ Vr, F - 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-2 供应商设备封装 TO-220AC 包装 管件 产品目录页面 1614 (CN2011-ZH PDF) 800/盒，50/管"
