| 价 格: | 2.00 | |
| 品牌: | FREESCALE/飞思卡尔 | |
| 型号: | 50N06 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | CC/恒流 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 76(V) | |
| 夹断电压: | 64(V) | |
| 低频跨导: | 34(μS) | |
| 极间电容: | 33(pF) | |
| 低频噪声系数: | 22(dB) | |
| 漏极电流: | 22(mA) | |
| 耗散功率: | 13(mW) |
dzsc/18/8607/18860764.jpg
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
Product Type: MOSFET Power
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
封装 / 箱体: PG-TO-252-3-11
电阻汲极/源极 RDS(导通): 15 m Ohms
汲极/源极击穿电压: 55 V
闸/源击穿电压: 2.1 V
漏极连续电流: 50 A
功率耗散: 65 W
工作温度: + 175 C
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
产品图片 dzsc/18/8607/18860767.jpgdzsc/18/8607/18860767.jpg三极管 S9011 S9012 S9013 S9014 S9015 S9018 SS8050 SS8550 S8050 S8550 2SC945 2SB772S 2SD882S 2N3904 2N3906 2N2222 2N2222A A42 A92 A44 A94 2N5551 2N5401 2N4401 2N4403 2N2907 2N6520 MPSA13 MPSA06 MPSH10 M28S KTA200 KTC200 C3192 C3198 C3202 C3203 2SC1815 2SC1008 2SA562 2SA608 2SA708 2SA950 2SA952 2SA1271 2SA1674 2SA564A 2SA564 2SA733 2SA1015 2SA1320 2SC1417 2SC1684 2SC2710 2SC458 2SC3203 MJE13003 2SC3202 2SC2216 2SC1809 2SC1213 2SC536 2SC458 2SC1906 2SC380 2SC3355 2SC2001 2SC388ATM 2SD1616A BC327 BC357 BC338 BC547 BC548 BC557 BC558 BC549 2SA940 A1273 A1300。 WS S9011 2N2222 2SC18092SB772/PM67 NEC TO-1262SD882/PM68 NEC TO-1262SD882/乒乓型 NEC TO-1262SB649A-C HIT TO-1262SD669A-C HIT TO-126E13003/H2 TO-126E13003/611 TO-1262SA940A FSC TO-2202SC2073 FSC TO-220BD135 PHI TO-126BD137 PHI TO-126BD138 PHI TO-126BD139 PHI TO-126BD140 PHI TO-126BD235 PHI TO-...
IR进口原装 优势供应商 FB4115 IRFB4115PBF IR进口原装 优势供应商 FB4115 IRFB4115PBF FB4115 IRFB4115PBF产品规格 参数 数据列表 IRFB4115PbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 150V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 104A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 11 毫欧 @ 62A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 5270pF @ 50V 功率 - 380W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)