供应 场效应管IRFR320原装进口
| 价 格： | 1.90 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFR320 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | CHOP/斩波、限幅 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 400V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.1A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.8 欧姆 @ 1.9A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 350pF @ 25V
功率 - 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 场效应管IRF9640原装进口
信息内容：晶体管极性:P通道电流, Id 连续:-11A电压, Vds :-200V在电阻RDS（上）:500mohm电压 @ Rds测量:-10V功耗, Pd:125W工作温度范围:-55°C 到 +150°C封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功耗:125W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:-11A电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds 典型值:-200V电压, Vgs :-4V
供应 场效应管IRFZ34N原装进口
信息内容：数据列表 IRFZ34NPbF 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 29A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 16A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 34nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V 功率 - 68W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFZ34NPBF"
