供应 场效应管IRFZ34N原装进口
| 价 格： | 1.76 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFZ34N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GE-P-FET锗P沟道 |
数据列表 IRFZ34NPbF
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 29A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 16A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
功率 - 68W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFZ34NPBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
- 传真：
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供应 场效应管IRFBG30原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV) 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.1A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 5 欧姆 @ 1.9A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 980pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFBG30PBF
供应 IC 芯片IRFP4229原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 44A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 46 毫欧 @ 26A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 4560pF @ 25V 功率 - 310W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC
