| 价 格: | 2.60 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRF9640 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | GaAS-FET砷化镓 |
数据列表 IRFZ34NPbF 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 29A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 16A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 34nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V 功率 - 68W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFZ34NPBF"
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV) 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.1A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 5 欧姆 @ 1.9A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 980pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFBG30PBF