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供应 场效应管IRF9640原装进口

价 格: 2.60
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF9640
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-ARR/陈列组件
封装外形:CHIP/小型片状
材料:GaAS-FET砷化镓

  • 晶体管极性:P通道
  • 电流, Id 连续:-11A
  • 电压, Vds :-200V
  • 在电阻RDS(上):500mohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 功耗, Pd:125W
  • 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功耗:125W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 漏极电流, Id 值:-11A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds 典型值:-200V
  • 电压, Vgs :-4V

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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供应 场效应管IRFZ34N原装进口

信息内容:

数据列表 IRFZ34NPbF 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 29A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 16A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 34nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V 功率 - 68W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFZ34NPBF"

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供应 场效应管IRFBG30原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV) 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.1A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 5 欧姆 @ 1.9A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 980pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFBG30PBF

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