场效应管HX1N60 TO-251 TO-252
| 价 格： | 700.00 | |
| 品牌/商标： | HX(环鑫) | |
| 型号/规格： | HX 1N60 TO-251 TO-252 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 低频噪声系数： | 0.1 | |
| 低频跨导： | 0.1 | |
| 漏极电流： | 0.1 |
现货长期供应全新场效应管场效应管HX1N60 TO-251 TO-252,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电
HX1N60 TO-251/TO-252 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 1A，600V，RDS(on)=11.5Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
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HX1N60 TO-251/TO-252 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
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- 所属城市：广东 深圳
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供应场效应管WFU1N60 TO-251
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供应场效应管WFP7N60
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