供应场效应管WFU1N60 TO-251
| 价 格： | 1.05 | |
| 品牌/商标： | Wisdom | |
| 型号/规格： | WFU1N60 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 低频噪声系数： | 0.1 | |
| 低频跨导： | 0.1 | |
| 漏极电流： | 0.1 |
韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理
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WFD1N60 TO-252 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 1A，600V，RDS(on)=12Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
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供应场效应管WFP7N60
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供应场效应管1N60 TO-92
信息内容：韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货供应WFN1N60(TO-92)质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电现货长期供应全新场效应管WFN1N60 TO-92 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电WFN1N60 TO-92 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 1A，600V，RDS(on)=12Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630dzsc/18/8634/18863459.jpg"
