| 价 格: | 0.65 | |
| 品牌: | Wisdom | |
| 型号: | WFN1N60 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 0.1(V) | |
| 夹断电压: | 0.1(V) | |
| 低频跨导: | 0.1(μS) | |
| 极间电容: | 0.1(pF) | |
| 低频噪声系数: | 0.1(dB) | |
| 漏极电流: | 0.1(mA) | |
| 耗散功率: | 0.1(mW) |
韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理
现货供应WFN1N60(TO-92)质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电
现货长期供应全新场效应管WFN1N60 TO-92 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电
WFN1N60 TO-92 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
∗ 1A,600V,RDS(on)=12Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
dzsc/18/8634/18863459.jpg
"韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货供应WFP2N60C(TO-220,TO-220F)质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电现货长期供应全新场效应管WFP2N60 TO-220/TO-220F 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电WFP2N60 TO-220/TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 2A,600V,RDS(on)=5.0Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630dzsc/18/8639/18863909.jpg"
韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货供应WFB6N60C D2PAK 质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电现货长期供应全新场效应管WFB6N60 D2PAK 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电WFB6N60 D2PAK N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 6A,600V,RDS(on)=1.2Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630dzsc/18/8664/18866466.jpg