价 格: | 面议 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
产品类型: | 快恢复二极管 | |
是否进口: | 是 | |
品牌/商标: | PHILIPS/飞利浦 | |
型号/规格: | BYQ30E-200,TO-220,DIP/快恢复,PHILIPS,200V | |
材料: | 硅(Si) | |
主要参数: | 200V | |
用途: | 快恢复 | |
备注: | 现货 |
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具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!
DIP/快恢复系列:
BYQ30E-200,TO-220,DIP/快恢复,PHILIPS,200V,0A
BYW51-200,TO-220,DIP/快恢复,ST,200V,0A
STPR1020CT散,TO-220,DIP/快恢复,ST,200V,10A
MUR1620CT,TO-220,DIP/快恢复,ON,200V,16A
MUR1620CTR,TO-220,DIP/快恢复,ON,200V,16A
STPR1620CT,TO-220,DIP/快恢复,ST,200V,16A
STPR2420CT,TO-220,DIP/快恢复,ST,200V,24A
BYQ28E-200,TO-220,DIP/快恢复,PHILIPS,200V,28A
C92-02P,TO-220,DIP/快恢复,FUJ,200V,9A
BYV34-400,TO-220,DIP/快恢复,PHILIPS,400V,0A
SF1604G,TO-220,DIP/快恢复,SB,400V,16A
ISL9K460P3,TO-220,DIP/快恢复,FAIRCHILD,600V,4A
公司简介:
深圳市金城微零件有限公司是一家经营半导体电子元件公司,是深圳电子商会常务理事单位.公司拥有一批经验丰富,技术力量雄厚的技术人才,并有大量库存现货,能为不同的客戶提供各种配套服务.
现经销国内外多家名厂产品,经营各种三极管、场效应管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,主要应用于开关电源(如:充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯等)电脑板卡(超小内阻、小体积大体积各种各样场效应管、低压差稳压)、玩具遥控飞机、遥控船等.低压差稳压,为你延长电池使用时间,场效应为你解决压降温升等等问题.
我们将一如既往以“高品质、低价格、一流的技术和一流的服务”为宗旨,为广大厂商提供更优良的服务.
在新世纪,成功更依靠电子科技和信息.深圳市金城微零件有限公司以“创优势,求发展”的概念,诚意欢迎各位同行、有志之仕加入合作,本着互助互利的目标共创新优势.
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产品型号:AON6788 概述 SRFET AON6788一个单片集成肖特基二极管采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和低 栅极电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中,负载开关和一般用途。 封装:QFN-8 5*6/DFN5X6 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):78 输入电容Ciss(PF):4380 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):115 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ. 下降时间Tf(ns):7 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,80A,0.004Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
产品型号:AOD438 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0035 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 85A功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD46 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 漏极电流Id(on)(A):60A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 60A功率MOSFET