价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AOD436,MOS,252,30V,60A AOD438,MOS,252,30V,85A | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 2500/盘 |
产品型号:AOD438
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0035
漏极电流Id(on)(A):85
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:30V 85A功率MOSFET
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产品型号:AOD46
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075
漏极电流Id(on)(A):60A
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:30V 60A功率
产品型号:AOL1440 概述 AOL1440采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),直通免疫力,体二极管的特性。这个 装置是理想的套房作为一个低侧开关,用于在CPU核心功率转换。 Features VDS(V)=25V ID=75A (VGS = 10V) RDS(ON)<3.2mΩ (VGS= 20V) RDS(ON)<4.0mΩ (VGS = 10V) RDS(ON)<5.2mΩ (VGS= 12V) UIS Tested Rg,Ciss,Coss,Crs 封装:UltraSO-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):80 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):75 输入电容Ciss(PF):2100 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):75 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):135 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):19 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 下降时间Tf(ns):8.5 typ. 温度(℃): -55 ~175
产品型号:MBR20100CT-1封装:TO-262反向重复峰值电压VRRM(V):100反向工作峰值电压VRWM(V):100反向直流电压VR(V):100正向平均电流IF(AV)(Per Leg)(A):10正向平均电流IF(AV)(Per Device)(A):20峰值重复正向电流IFRM(A):20正向浪涌电流IFSM(A):150正向直流电压VF(V):0.95 @IF=20A, Tj =25℃工作结温Tj(℃): 150存储温度Tstg(℃):-65 to +175应用范围:电源-输出整流,电源管理,仪表描述:100V,20A 共阴 HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)