供应 场效应管 AON6788
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AON6788,QFN-8 5*6/DFN5X6,SMD/MOS,N场,30V,80A,0.004Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/DFN5X6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:AON6788
概述
SRFET AON6788一个单片集成肖特基二极管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低
栅极电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中，负载开关和一般用途。
封装:QFN-8 5*6/DFN5X6
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):78
输入电容Ciss(PF):4380 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：115
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ.
下降时间Tf(ns):7 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,80A,0.004Ω N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AOD438 , AOD436 ,D438,D436
信息内容：产品型号:AOD438 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0035 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 85A功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD46 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 漏极电流Id(on)(A):60A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 60A功率MOSFET
供应 场效应管 AOL1440,AOL1428,1428,1440
信息内容：产品型号:AOL1440 概述 AOL1440采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），直通免疫力，体二极管的特性。这个 装置是理想的套房作为一个低侧开关，用于在CPU核心功率转换。 Features VDS(V)=25V ID=75A (VGS = 10V) RDS(ON)<3.2mΩ (VGS= 20V) RDS(ON)<4.0mΩ (VGS = 10V) RDS(ON)<5.2mΩ (VGS= 12V) UIS Tested Rg,Ciss,Coss,Crs 封装:UltraSO-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):80 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):75 输入电容Ciss(PF):2100 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：75 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):135 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):19 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 下降时间Tf(ns):8.5 typ. 温度(℃): -55 ~175
