三极管 2SC3148,C3148,2SC2482
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号/规格： | 2SC3148,TO-220,TOSHIBA,DIP/三极管,800V.3A | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | NPN型 | |
| 击穿电压VCBO： | 800（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 3（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 40（W） | |
| 截止频率fT： | -（MHz） | |
| 结构： | 平面型 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
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公司简介:
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快恢复 BYQ30E-200,BYQ28E-200
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供应 场效应管 AON6788
信息内容：产品型号:AON6788 概述 SRFET AON6788一个单片集成肖特基二极管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低 栅极电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中，负载开关和一般用途。 封装:QFN-8 5*6/DFN5X6 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):78 输入电容Ciss(PF):4380 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：115 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ. 下降时间Tf(ns):7 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,80A,0.004Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
