优势低价供应原装BCX54/BCX55/BCX56 恩智浦三极管
| 价 格： | 0.10 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌/商标： | NXP/恩智浦 | |
| 型号/规格： | BCX54/BCX55/BCX56 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | PNP型 | |
| 击穿电压VCEO： | 200（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 15（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 20（W） | |
| 截止频率fT： | 150（MHz） | |
| 结构： | 点接触型 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
BCX54/BCX55/BCX56 NPN,功率晶体管-恩智浦NXP
BCX54
BCX54-10
BCX54-16
BCX55
BCX55-10
BCX55-16
BCX56
BCX56-10
BCX56-16
特征
1.高电流（1A）
2.低电压（80V）。
应用
1.音频和视频放大器
描述
NPN,中等功率晶体管SOT-89封装。
PNP：BCX51，BCX52和BCX53。
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 蔡先生
- 电话：0755-82544779/83221770/82725079
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供应原装 SI7686DP-T1-E3 VISHAY场效应管 可开增值税发票
信息内容：SI7686DP-T1-E3 N沟道,30V,MOSFET型号：SI7170DP-T1-E3SI7686DP-T1-E3SI7686ADP-T1-E3SI7866ADP-T1-E3SI7840DP-T1-E3SI7806ADN-T1-E3SI7858ADP-T1-E3SI7810DN-T1-E3SI7812DN-T1-E3SI7884BDP-T1-E3SI7884DP-T1-E3SI7860ADP-T1-E3SI7852DP-T1-E3SI7882DP-T1-E3SI7892ADP-T1-E3SI7804DN-T1-E3SI7886ADP-T1-E3SI7886DP-T1-E3SI7868ADP-T1-E3SI7848DP-T1-E3SI7114DN-T1-E3SI7112DN-T1-E3SI7108DN-T1-E3SI7148DP-T1-E3SI7121DN-T1-E3SI7107DN-T1-E3SI7136DP-T1-E3SI7100DN-T1-E3SI7110DN-T1-E3SI7634BDP-T1-E3SI7634DP-T1-E3SI7636DP-T1-E3SI7611DN-T1-E3SI7606DN-T1-E3SI7682DP-T1-E3SI7601DN-T1-E3SI7658ADP-T1-E3厂商：VISHAY/威世半导体封装: QFN批号：10+供应数量:50000PCS最小包装:编带盘装2.低输出电压同步整流 VDS(V) rDS(on) ID(A)a Qg(Typ) 30 0.0095 @ VGS=10V 35 9.2 nC 0.014 @ VGS=4.5V 35产品特征1.TrenchFET功率MOSFET2.新型低热阻的PowerPAK封装3.1.07mm 超微型封装3.优化高侧同步整流器4.100％的Rg测试应用1.直流/直流转换器
优势低价供应原装 2SC3356（R25） NEC 三极管
信息内容：2SC3356（R25）高频晶体管,高频宽带低噪声放大器 牌子NEC2SC3356-T1(R23)2SC3356-T1(R24)2SC3356-T1(R25)品牌：NEC封装：SOT-23-3包装：3000PCS/盘产品类型：高频晶体管产地：日本详细介绍：2SC3356硅超高频低噪声功率管1.2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。2.主要应用：2SC3356主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。3.主要特性 高增益: ︱S21︱2 典型值为 11.5dB 低躁声: NF典型值为 1.5 dB 特征频率: fT典型值为 7GHz 4.极限工作条件范围 (T=25℃)： 集电极基极击穿电压VCBO-20V 集电极发射极击穿电压VCEO-12V 发射极基极击穿电压VEBO-3V 集电极电流IC-100mA 功耗PC 200mW"
