优势低价供应原装 2SC3356（R25） NEC 三极管
| 价 格： | 0.10 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌/商标： | NEC/日本电气 | |
| 型号/规格： | 2SC3356（R25 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | PNP型 | |
| 击穿电压VCEO： | 1（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 1.5（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 20（W） | |
| 截止频率fT： | 150（MHz） | |
| 结构： | 点接触型 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
2SC3356（R25）高频晶体管,高频宽带低噪声放大器 牌子NEC
2SC3356-T1(R23)
2SC3356-T1(R24)
2SC3356-T1(R25)
品牌：NEC
封装：SOT-23-3
包装：3000PCS/盘
产品类型：高频晶体管
产地：日本
详细介绍：
2SC3356硅超高频低噪声功率管
1.2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。
2.主要应用：2SC3356主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。
3.主要特性
高增益: ︱S21︱2 典型值为 11.5dB
低躁声: NF典型值为 1.5 dB
特征频率: fT典型值为 7GHz
4.极限工作条件范围 (T=25℃)：
集电极基极击穿电压VCBO-20V
集电极发射极击穿电压VCEO-12V
发射极基极击穿电压VEBO-3V
集电极电流IC-100mA
功耗PC 200mW
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 蔡先生
- 电话：0755-82544779/83221770/82725079
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信息内容：NTD24N06LT4G 功率MOSFET,24Amps,60V逻辑电平,N沟道,DPAK-安森美半导体型号：NTD24N06L-1GNTD24N06LT4GNTD24N06LG厂商：安森美半导体封装:SOT-252批号：10+供应数量:50000PCS最小包装:2500/PCS,编带盘装产品特点1. 60V逻辑电平,功率MOSFET2. 24Amps,60V逻辑电平3.无铅封装（符合RoHS）典型应用1.电源2.转换器3.电源电机控制4.桥电路
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信息内容：FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET完整型号:FQA18N50V2FQP18N50V2FQPF18N50V2FQD18N20V2TMFQPF18N20V2FQP18N20V2FQU18N20V2FQD18N20V2品牌: FAIRCHILD封装: SOT-252,TO-251,TO-220年份: 09+数量: 300000最小包装:编带盘装 2500/盘产品描述:FQD18N20V2 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，平面条纹，DMOS工艺技术。这种先进的技术，特别是针对已尽量减少对通态电阻，提供优越的开关性能，经受住了高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于如汽车，高低压应用效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。特点1.15A，200V，RDS（on）=0.14Ω@ VGS电压= 10V2.低栅极电荷（典型值20nC）3.低Crss（25 pF的典型）4,快速切换5.100％雪崩测试6.改进的dv/dt的能力
