优势供应 FQD18N20V2 仙童场效应管 诚信经营,可开增值发票
| 价 格： | 0.10 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQD18N20V2 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | PNP型 | |
| 击穿电压VCEO： | 10（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 20（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 20（W） | |
| 截止频率fT： | 15（MHz） | |
| 结构： | 点接触型 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET
完整型号:
FQA18N50V2
FQP18N50V2
FQPF18N50V2
FQD18N20V2TM
FQPF18N20V2
FQP18N20V2
FQU18N20V2
FQD18N20V2
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251,TO-220
年份: 09+
数量: 300000
最小包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD18N20V2 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，
平面条纹，DMOS工艺技术。这种先进的技术，特别是针对已
尽量减少对通态电阻，提供优越的开关性能，经受住了高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于如汽车，高低压应用
效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.15A，200V，RDS（on）=0.14Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅极电荷（典型值20nC）
3.低Crss（25 pF的典型）
4,快速切换
5.100％雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 蔡先生
- 电话：0755-82544779/83221770/82725079
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优势低价供应原装TLE4284DV INFINEON三极管
信息内容：TLE4284DV 800mA,短路保护,电压调节器完整型号:TLE4284DVTLE4284DV33TLE4284DV50封装规格:SOT-252最小包装:2500PCS/盘产品用途:汽车电子特点1.固定输出电压调节器2.5V,3.3V,5V2.可调输出下降至1.25V的3.800 mA输出电流4.80分贝纹波抑制5.无输出电容器必要6.适用于汽车应用7.短路保护7.过温保护"
供应原装 STP60NF06 ST场效应管 诚信经营,可开增值票
信息内容：STP60NF06 N沟道60V,0.014W,60A,STripFET 功率MOSFET型号：STP60NF06STP60NF06FP厂商：ST/意法半导体封装:TO-220,TO-220FP批号：10+供应数量:50000PCS最小包装:管装产品特点:TYPE VDSS RDS(on) IDSTP60NF06 60V <0.016W 60ASTP60NF06FP 60V <0.016W 60A1.典型的RDS（on）=0.014W2.极高的dv/dt的能力3.100％雪崩测试
