供应原装 SI7686DP-T1-E3 VISHAY场效应管 可开增值税发票
| 价 格： | 0.10 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌/商标： | Vishay/威世通 | |
| 型号/规格： | SI7686DP-T1-E3 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | PNP型 | |
| 击穿电压VCEO： | 5（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 0.1（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 15（W） | |
| 截止频率fT： | 20（MHz） | |
| 结构： | 点接触型 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
SI7686DP-T1-E3 N沟道,30V,MOSFET
型号：
SI7170DP-T1-E3
SI7686DP-T1-E3
SI7686ADP-T1-E3
SI7866ADP-T1-E3
SI7840DP-T1-E3
SI7806ADN-T1-E3
SI7858ADP-T1-E3
SI7810DN-T1-E3
SI7812DN-T1-E3
SI7884BDP-T1-E3
SI7884DP-T1-E3
SI7860ADP-T1-E3
SI7852DP-T1-E3
SI7882DP-T1-E3
SI7892ADP-T1-E3
SI7804DN-T1-E3
SI7886ADP-T1-E3
SI7886DP-T1-E3
SI7868ADP-T1-E3
SI7848DP-T1-E3
SI7114DN-T1-E3
SI7112DN-T1-E3
SI7108DN-T1-E3
SI7148DP-T1-E3
SI7121DN-T1-E3
SI7107DN-T1-E3
SI7136DP-T1-E3
SI7100DN-T1-E3
SI7110DN-T1-E3
SI7634BDP-T1-E3
SI7634DP-T1-E3
SI7636DP-T1-E3
SI7611DN-T1-E3
SI7606DN-T1-E3
SI7682DP-T1-E3
SI7601DN-T1-E3
SI7658ADP-T1-E3
厂商：VISHAY/威世半导体
封装: QFN
批号：10+
供应数量:50000PCS
最小包装:编带盘装
2.低输出电压同步整流
VDS(V) rDS(on) ID(A)a Qg(Typ)
30 0.0095 @ VGS=10V 35 9.2 nC
0.014 @ VGS=4.5V 35
产品特征
1.TrenchFET功率MOSFET
2.新型低热阻的PowerPAK封装
3.1.07mm 超微型封装
3.优化高侧同步整流器
4.100％的Rg测试
应用
1.直流/直流转换器
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 蔡先生
- 电话：0755-82544779/83221770/82725079
- 传真：0755-83254770
- 手机：13751188660
- QQ ：
优势低价供应原装 2SC3356（R25） NEC 三极管
信息内容：2SC3356（R25）高频晶体管,高频宽带低噪声放大器 牌子NEC2SC3356-T1(R23)2SC3356-T1(R24)2SC3356-T1(R25)品牌：NEC封装：SOT-23-3包装：3000PCS/盘产品类型：高频晶体管产地：日本详细介绍：2SC3356硅超高频低噪声功率管1.2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。2.主要应用：2SC3356主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。3.主要特性 高增益: ︱S21︱2 典型值为 11.5dB 低躁声: NF典型值为 1.5 dB 特征频率: fT典型值为 7GHz 4.极限工作条件范围 (T=25℃)： 集电极基极击穿电压VCBO-20V 集电极发射极击穿电压VCEO-12V 发射极基极击穿电压VEBO-3V 集电极电流IC-100mA 功耗PC 200mW"
供应原装NTD24N06LT4G ON场效应管 可开增值发票
信息内容：NTD24N06LT4G 功率MOSFET,24Amps,60V逻辑电平,N沟道,DPAK-安森美半导体型号：NTD24N06L-1GNTD24N06LT4GNTD24N06LG厂商：安森美半导体封装:SOT-252批号：10+供应数量:50000PCS最小包装:2500/PCS,编带盘装产品特点1. 60V逻辑电平,功率MOSFET2. 24Amps,60V逻辑电平3.无铅封装（符合RoHS）典型应用1.电源2.转换器3.电源电机控制4.桥电路
