供应场效应管75NF75，80N70,75N68
| 价 格： | 0.53 | |
| 型号/规格： | 75NF75 | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 极性： | NPN型 |
供应场效应管（MOS) TP75NF75
特点：（1）是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
主要作用：1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
应用特点：
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
场效应管栅极几乎不取电流；.场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。场效应管制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现在的用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。
- 所属城市：广东 汕头
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供应场效应三极管K80E08,K80E06
信息内容：供应75V,80A 0.009欧 MOS场效应管TK80E08K3 描 述 ： MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 标准包装 ： 50 系列 ： STripFET™ FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 ： 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 11 毫欧 @ 40A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) ： 75V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 80A Id 时的 Vgs(th)（） ： 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs ： 160nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 3700pF @ 25V 功率 - ： 300W 安装类型 ： 通孔 封装/外壳 ： ...
供应场效应三极管SSF7509
信息内容：品牌/商标 LTO-DMS 美国徳微斯 型号/规格 SSF7509 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 80（V） 夹断电压 80（V） 低频跨导 100（μS） 极间电容 100（pF） 低频噪声系数 100（dB） 漏极电流 80（mA） 耗散功率 160（mW） 供应场效应管（MOS) SSF7509 特点:（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利...
