供应 场效应管 AO4410,4410
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AO4410,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,7.5A, | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:AO4410
封装:SOP-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):18
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):3
输入电容Ciss(PF):9130 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273
导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.
上升时间Tr(ns):7 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):99 typ.
下降时间Tf(ns):13 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,18A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2N7002,2N7002K,7002,702,12W
信息内容：产品型号:2N7002 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):0.18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):0.3 输入电容Ciss(PF):25 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.2 温度(℃): -65 ~150 描述:60V,0.18A N-沟道增强型场效应晶体管 应用 移动电源 特点 直接接口的C-MOS，TTL等。 高速开关 无二次击穿。
供应 场效应管 2SK3018,2SK3018KN,K3018
信息内容：产品型号:2SK3018KN 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):±0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):8 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):0.2 输入电容Ciss(PF):13 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.02 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 上升时间Tr(ns):35 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ. 下降时间Tf(ns):80 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,±100mA N-沟道增强型场效应晶体管 带二极保护 应用 接口，开关（30V，百毫安） 特点 1）低导通电阻。 2）快速开关速度。 3）低电压驱动（2.5V），使该设备端口能设备的理想选择。 4）易于设计的驱动电路。 5）易于并行。
