供应 场效应管 Si2312,Si2312DS,Si2312BDS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | Si2312DS | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:Si2312DS
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):3.77
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.033 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):0.85
功率PD(W):0.75
输入电容Ciss(PF):240 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):11.25
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ.
下降时间Tf(ns):31 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:20V,3.77A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SI2311,2311,SI2329DS
信息内容：产品型号:SI2311 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-8 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-3A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.045 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-0.8 功率PD(W):0.71 输入电容Ciss(PF):970 typ. 通道极性:p沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 上升时间Tr(ns):45 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ. 下降时间Tf(ns):45 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-8V,-3A P-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 SI2308DS,SI2310,Si2308
信息内容：产品型号:SI2308DS 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.16 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):1.25 输入电容Ciss(PF):240 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ. 上升时间Tr(ns):10 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ. 下降时间Tf(ns):6 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
