供应 场效应管 Si2318DS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | Si2318DS | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
Si2318DS N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
特点
.无卤素根据IEC 61249-2-21可用的
.TrenchFET®功率MOSFET
应用
.步进电机
.负荷开关
dzsc/18/8341/18834168.jpg深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。
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供应 场效应管 Si2312,Si2312DS,Si2312BDS
信息内容：产品型号:Si2312DS 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):3.77 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.033 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):0.85 功率PD(W):0.75 输入电容Ciss(PF):240 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):11.25 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ. 下降时间Tf(ns):31 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:20V,3.77A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 SI2311,2311,SI2329DS
信息内容：产品型号:SI2311 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-8 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-3A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.045 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-0.8 功率PD(W):0.71 输入电容Ciss(PF):970 typ. 通道极性:p沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 上升时间Tr(ns):45 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ. 下降时间Tf(ns):45 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-8V,-3A P-沟道增强型场效应晶体管
