供应 场效应管 2SK3565 K3565
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3565,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,5A,2.5Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
产品型号:2SK3565
封装:TO-220F
标记:K3565
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1150 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):595
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
上升时间Tr(ns):70 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):170 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:900V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
特点
.低漏源导通电阻RDS（ON）=2.0Ω（typ值）
.高正向传输导纳：|YFS|=4.5 S（typ值）
.低漏电流IDSS= 100uA（VDS =720 V）
.增强模式：VTH= 2.0--4.0 V（V DS=10 V，ID= 1毫安）
应用
.开关稳压器
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
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供应 场效应管 BSC010NE2LSI,010NE2LI
信息内容：产品型号:BSC010NE2LSI 封装:PG-TDSON-8 标记:010NE2LI 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.00105 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):96 输入电容Ciss(PF):4200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：160 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100 导通延迟时间Td(on)(ns):6.3 typ. 上升时间Tr(ns):6.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ. 下降时间Tf(ns):4.6 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:25V,100A N-沟道增强型场效应晶体管 特点 .优化的高性能降压转换器 .100％的雪崩测试 .非常低的导通电阻RDS（ON）@ VGS= 4.5 V .无铅电镀，符合RoHS标准 .无卤素根据IEC61249-2-21 .如二极管单片集成肖特基 应用 .板载功率为服务器 .电源枭雄高性能计算 .利用同步整流 .高功率密度负载点转换器 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 IRFS654B,IRFS654A,IRFS654
信息内容：产品型号:IRFS654B 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.14 漏极电流Id(on)(A):21 功率PD(W):50 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述: 250V,21A 功率MOSFET 深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
