供应 场效应管 BSC010NE2LSI,010NE2LI
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC010NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.00105Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
产品型号:BSC010NE2LSI
封装:PG-TDSON-8
标记:010NE2LI
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):100
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.00105 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):96
输入电容Ciss(PF):4200 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：160
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100
导通延迟时间Td(on)(ns):6.3 typ.
上升时间Tr(ns):6.2 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ.
下降时间Tf(ns):4.6 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:25V,100A N-沟道增强型场效应晶体管
特点
.优化的高性能降压转换器
.100％的雪崩测试
.非常低的导通电阻RDS（ON）@ VGS= 4.5 V
.无铅电镀，符合RoHS标准
.无卤素根据IEC61249-2-21
.如二极管单片集成肖特基
应用
.板载功率为服务器
.电源枭雄高性能计算
.利用同步整流
.高功率密度负载点转换器
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 IRFS654B,IRFS654A,IRFS654
信息内容：产品型号:IRFS654B 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.14 漏极电流Id(on)(A):21 功率PD(W):50 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述: 250V,21A 功率MOSFET 深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 IRFS634A,IRFS634B,IRFI634G
信息内容：产品型号:IRFS634A 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45 漏极电流Id(on)(A):8.1 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:250V,8.1A功率MOSFET 产品型号:IRFS634B 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45 漏极电流Id(on)(A):8.1 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:250V,8.1A功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
